В настоящий момент есть два типа оперативной памяти — доступная и относительно медленная DDR/LPDDR и мощная, быстрая, но очень дорогая HBM. Первая применяется в компьютерах, ноутбуках и смартфонах, вотчина второй — серверные системы и промышленные видеокарты — сегмент, где могут платить очень много и требуются чрезвычайно быстрые вычисления. Впрочем вероятно, очень скоро, гаджеты пользователей станут на шаг ближе к возможностям промышленных ЭВМ.
Ещё год назад создатели классических HBM — структур рассказали о своей новой работе — разработке недорогой и очень быстрой оперативной памяти. Её возможности должны оказаться между актуальными DDR5/LPDDR5 и HBM4, при сохранении важнейшего для потребительского сегмента критерия — невысокой стоимости. Казалось, до релиза нового типа ОЗУ пройдут годы, если не десятилетия, но современный технологический сектор значительно ускоряется. Согласно данным инсайдеров, уже во второй половине 2027 года появятся смартфоны, с принципиально новыми оперативной памятью.
Достаточно авторитетный добытчик слухов Fixed Focus Digital накануне сообщил об активном тестировании оперативной памяти LLW DRAM (Low Latency Wide DRAM), которая в перспективе должна заменить недостаточно быстрые DDR5/LPDDR5 и даже DDR6/LPDDR6, одновременно снизив энергопотребление. По его данным скорость перспективной ОЗУ может оказаться до 10-15 раз(!!!) выше текущих стандартов, что приведёт к резкому увеличению пропускной способности каналов оперативной памяти и ускорению всей экосистемы смартфонов минимум в 1,5 раза. Важнейшими компонентами, на производительность которых повлияет LLW DRAM станут интегрированные графические чипы и ИИ — ускорители, не имеющие собственной памяти и получающие необходимый объём из оперативной.
Напомним, многие производители «железа» уже последние 5-7 лет жалуются на слишком ограниченные возможности скоростных характеристик ОЗУ. Например, применение вдвое более быстрой оперативной памяти с гибридным процессором поднимает производительность видеочипа(iGPU) на 25-35%. Соответственно если производительность LLW DRAM окажется даже в 3-5 раз выше, чем у актуальных DDR5/LPDDR5, скорости интегрированной графики вырастут кратно, что может вызвать бум развития экосистем смартфонов, мини — пк и ноутбуков.
Согласно данным того же Fixed Focus Digital, первыми кто применит в своих «трубках» новый тип комплектующих, окажутся бренды HUAWEI и Xiaomi. Их версии смартфонов на базе LLW DRAM будут представлены рынку уже во второй половине 2027 года.
Вам может быть интересно: МЧС Казахстана активно закупает электромобили Tesla Cybertruck
