С начала года всё сильнее ощущается приближение шага, в совершенно новое поколение компьютерной индустрии, предполагающее невероятные скорости производительности и объёмы информации. Накануне подтверждая данную тенденцию, компания Samsung представила модуль памяти DDR5 High-K Metal Gate (HKMG) объёмом 512 гигабайт. Данная «планка» вобрала в себе все самые перспективные технологии it-индустрии. В частности чипы 16ти гигабайтных модулей памяти произведены с использованием диэлектрических покрытий и имеют продвинутую 8ми слойную структуру, что делает их более схожими с видеопамятью GDDR6 нежели предшественником в лице DDR4. Сама планка имеет внушающую пропускную способность 7200Мбит/с и при этом потребляет на 13% электроэнергии по сравнению с предыдущими DDR4. Серия ОЗУ Samsung DDR5 High-K Metal Gate предназначена для работы в серверах и промышленном оборудовании, но показывает, на что будут способны перспективные «настольные» аналоги.

Вам может быть интересно: Новая сборка Windows 10 лишится «Блокнота» и получит эмулятор Linux-программ

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *