Компания Samsung объявила об окончании этапа разработки новейшего модуля памяти DDR5-7200 объёмом 512 гигабайт. Напомним, до текущего момента самой ёмкой планкой памяти считалась DDR4 256 гигабайт, созданная этим же южнокорейским чипмейкером. Новинка создана исключительно для серверного рынка и несёт в себе ряд принципиальных технологических улучшений. Представленный модуль обеспечивает сразу на 40% более высокую пропускную способность относительно самых совершенных решений DDR4, при энергопотреблении всего 1,1В. Такие характеристики стали возможны благодаря переработке внутренней структуры памяти: соединительные зазоры между слоями каждого чипа памяти инженеры Samsung смогли сделать тоньше сразу на 40%.

Это в свою очередь увеличило скорость обмена данными внутри кристалла и позволило нарастить количество слоёв памяти при уменьшении его толщины с 1,2(у DDR4) до 1 миллиметра. Нельзя не отметить и применение усовершенствованных контроллеров питания, ввода — вывода информации, ускоряющих обмен данными между чипами, а также новейшей технологии SBR(Same-Bank Refresh), увеличивающей пропускную способность DRAM до 10%, за счёт логической загрузки/очистки банков памяти. Созданная планка получила наиболее продвинутый корректор ошибок ODECC. Можно сказать, по совокупности характеристик Samsung показала наиболее совершенный модуль ОЗУ в истории, в очередной раз доказав, что находится в авангарде технологической кремниевой отрасли. Сами южнокорейцы говорят о массовом переходе на стандарт DDR5 в серверном сегменте лишь 2023 году.

Вам может быть интересно: Швейцарские учёные с помощью процессоров AMD установили наивысшую точность числа Пи

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *