Настоящая драма разыгрывается в торговом противостоянии США и Китая. Соединенные Штаты прикладывают все возможные усилия для ограничения поставок в КНР литографического оборудования, способного печатать кремниевые чипы на современных техпроцессах(такими считаются 20 нанометров и тоньше). Но не смотря максимально возможные принятые санкционные меры, Китай, похоже «выкручивается» из ситуации. Накануне пришли сразу две новости, заставляющие с осторожностью верить в светлое будущее полупроводниковой отрасли КНР.
Несколько дней назад мы писали о том, что Дональд Трамп планирует введение ограничений на поставку основному китайскому кремниевому производителю SMIC литографического оборудования, позволяющего производить 7ми нанометровые чипы. Этот «удар» поверг в шок всё мировое it сообщество и похоже сама китайская компания готовилась к такому повороту дел и уже показала, что не пропадёт. Своеобразным ответом на санкции стал запуск собственными силами SMIC тестового 8ми нанометрового производства. Как это возможно, если самое современное оборудование чипмейкера позволяет производить только изделия по нормам 14нм? Это реализуемо благодаря хитрому технологическому подходу, разработанному несколько лет назад. Дело в том, что для производства техпроцессов толще 10нм используются специализированные сканеры «выжигающие» структуру чипа на кремниевой пластине в глубоком ультрафиолетовом диапазоне (DUV), для тонких техпроцессов, таких как 8нм, 7нм, 5нм и т.д. уже применяются сканеры работающие в экстремальном ультрафиолетовом диапазоне (EUV), но при этом 8нм и 7нм техпроцессы считаются переходными и при дополнительном цикле прожига сканером(процесс называется FinFET N+1, где «+1» означает дополнительный цикл прожига) вполне реализуемы и на 14нм DUV оборудовании. Это дольше, затраты несколько выше, но фактически Китай как минимум на несколько лет выиграл паритет в гонке техпроцессов и может конструировать и производить собственные современные мобильные и десктопные процессоры и иные типы чипов.
А что дальше? Да SMIC сможет наладить качественное производство 8нм пластин, из которых можно сделать отличные производительные чипы, но уже через 2-3 года, когда весь мир массово перейдёт на 5нм, данный техпроцесс утратит актуальность и к этому времени Китаю нужно освоить изготовление как минимум 12ти нанометровых DUV сканеров, чтобы смочь, опять же, хотя бы с помощью метода FinFET N+1 производить 7нм и 6нм чипы. Похоже и в этом направлении «лёд тронулся»: по последним данным уже в 2021м году компания из КНР Shanghai Micro Electronics Equipment (SMEE) представит свою первую литографическую установку, способную производить 28нм изделия с применением метода сканирования DUV. Кончено, 28нм — это даже не 14нм, но уже огромный шаг вперёд, ведь технология 100% внутренняя и не подвержена санкциям. Имея подобного рода наработки, а также учитывая желание правительства Китая любыми способами и за любые деньги избавиться от иностранной зависимости в кремниевой сфере, мы вполне сможем увидеть китайские 12ти нанометровые DUV сканеры уже через 2-3 года.

28ми нанометровая установка SMEE

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *