В рамках специализированного анонса, посвящённого будущим премьерам в рамках всемирной компьютерной выставки CES-2026, компания Samsung пообещала премьеру нового поколения оперативной памяти LPDDR6. Будущая ОЗУ обеспечит умопомрачительную пропускную способность на уровне 10700Гбит/с и резкое увеличение энергоэффективности.
Всего несколько лет назад вся компьютерная общественность обсуждала громкое событие — премьеру высокоскоростного стандарта оперативной памяти — LPDDR5, а чуть позже подоспел и классический DDR5. Новый тип ОЗУ относительно «устаревшего» DDR4 предлагал только на старте пропускную способность от 4800Мбит/с, что по сравнению с максимальными 3600Мбит/с у предшественника казалось бешенным приростом. За четыре минувших года планки памяти DDR5 достигли частоты 7600Мбит/с, а LPDDR5X и вовсе дотянулись до 8800Мбит/с, что позволило резко повысить пропускную способность компьютерных систем и повысить производительность встроенной графики(встроенное графическое ядро берёт видеопамять из оперативной и VRAM работает на частоте ОЗУ: чем быстрее ОЗУ, тем быстрее видеопамять и скорость работы iGPU). И, похоже, обозначенные параметры становятся пределом внутренней архитектуры DDR5, из-за чего потребовался новый подход.
Анонсированная Samsung LPDDR6 как раз и отличается от предшественников не просто типичным разгоном, а целым перечнем изменений, позволяющем говорить о принципиально новом продукте. Первое и самое важное, что бросается в глаза — возможность работы каждого чипа новой ОЗУ сразу с двумя подканалами ввода вывода, несущих в себе по 12 линий передачи данных. Притом, линии подканалов чередуются между собой в «шашечном» порядке, передавая и забирая данные почти параллельно, что фактически повторяет привычный двухканальный режим работы памяти в компьютере. Важнейшим моментом оказалось сохранение крупной гранулярности данных: обычно при большем числе линий данные дробятся на более мелкие «пакеты», но в LPDDR6 каждый блок информации будет иметь классический для настоящего времени объём 32 байта, а в определённых случаях(пока разработчики не указывают в каких), «пакет» и вовсе может передавать за раз 64 байта.
Интересна оказалась схема питания чипа. На каждый из двух подканалов Samsung выделила свой источник питания VDD2 и это в корне отличается от традиционного линейного питания применяемого в DDR5/LPDDR5. Кстати, не смотря на описанное изменение VDD2, благодаря переходу на 12нм техпроцесс энергоэффективность ОЗУ повысится сразу на 21%! Это очень существенный показатель, к тому же закладывающий возможности роста производительности за счёт увеличения энергопотребления.
В эпоху глобального роста киберпреступности, важнейшим моментом для любого типа комплектующих является безопасность от взлома и LPDDR6 не исключение. В анонсе были упомянуты счётчики активации строк, предотвращающие передачу данных при лишних относительно структуры запросов ЭВМ обращениях. Кроме того, кристалл памяти получил защищённые особым образом области с ограниченным доступом, классическую систему коррекции ошибок ECC, систему контроля честности CA Parity и защиту каналов связи за счёт перепроверки MBIST.
LPDDR6 не только способна сразу поднять общую производительность всех ЭВМ включая смартфоны на 10-15%(а при росте частоты ещё выше), но также обеспечит резкий рывок возможностей встроенных видеоядер. В теории, с пропускной способностью ОЗУ на уровне 11000 — 12000Мбит/с будущие интегрированные в процессор iGPU по скорости работы смогут догнать дискретные видеокарты AMD Radeon RX6000 и Nvidia GeForce RTX3000! А этой крайне быстрые «игрушки»!)
Выставка CES2026, на которой и состоится официальная премьера LPDDR6 пройдёт в первых числах января 2026 года.
Вам может быть интересно: Intel объявила о нарастающем кратковременном дефиците своих чипов
