Китайская Народная Республика, будучи одной из самых динамично развивающихся стран в мире, имеющая наибольшее по численности население и следовательно крупнейший внутренний рынок сбыта просто не может позволить себе зависимость от внешних игроков на таком стратегическом направлении, как микроэлектроника. Опыт с Huawei показал, насколько быстро главный конкурент на политической арене – США могут ограничить доступ к той или иной технологии. Но ещё за несколько лет назад до конфликта из-за Huawei, власти Китая предполагая подобное развитие событий, приняли стратегию «пяти шагов», цель которой – создание всех важнейших видов производства внутри страны. Кремниевые пластины, служащие основой для выпуска процессоров, оперативной памяти, да и всей полупроводниковой продукции в принципе как раз одно из самых важных изделий современности, освоение которого требует баснословных инвестиций. И власти КНР понимая всю стратегическую важность подобного производства на территории страны выделили более 2х миллиардов долларов компании Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) на освоение наиболее востребованного сегодня 7ми нанометрового техпроцесса. Представители SMIC заявили, что общий пакет инвестиций на постройку нового завода составляет 3,1 миллиарда долларов, но эта цифра многократно превышает годовой оборот компании(не говоря уже о прибыли), а для частных инвесторов такая сумма неподъёмна из чего следует вывод о финансировании проекта со стороны государства. Львиная доля из выделенных средств – 2 миллиарда долларов пойдут на постройку фабрики в Шанхае, 500 миллионов будут потрачены на модернизацию производственных мощностей в Пекине, а оставшиеся средства, по всей вероятности будут потрачены на научные исследования и покупку необходимых знаний и технологий.
Результатом инвестроекта должно стать освоение производства 300мм 7ми нанометровых кремниевых пластин. Первое их поколение будет производиться по так называемому техпроцессу «N+1», который сможет обеспечить по сравнению с нынешним 14нм на 55% меньшую площадь кристалла или на 63% увеличение объёма транзисторов при одновременном повышении энергоэффективности в пределах 20%. Следующая ступень — «N+2» станет аналогом 7нм+ Тайваньского производителя TSMC и должна предложить незначительные уплотнение транзисторов и рост энергоэффективности. Первые партии кремниевых пластин «N+1» новая фабрика SMIC должна произвести уже до конца текущего года.