На днях, международный комитет инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC официально утвердил характеристики перспективного стандарта памяти HBM3. В частности, был обнародован стандарт JESD238, в котором и прописаны особенности перспективной ОЗУ.
Итак, к HBM3 относится память со скоростью обмена данными 6,4Гбит/с на каждый контакт и пропускной способностью чипа — 819Гбайт/с. Каждый такой модуль будет нести от 4 до 16 транзисторных слоёв и иметь объём от 4 до 64 гигабайт. В среднем, перспективная память станет до двух раз быстрее наиболее современной HBM2e, что откроет отличные перспективы для чипмейкеров.
Напомним, не смотря на дороговизну модулей HBM, производители видеокарт, такие как AMD и Nvidia крайне охотно используют их в промышленных видеоускорителях, значительно повышая пропускную способность устройств.

Вам может быть интересно: Впервые в истории автомобиль-самолёт получил официальное разрешение на полёты

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован. Обязательные поля помечены *